BSD235N H6327参数：MOSFET N-CH DUAL 20V SOT363
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：950mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 950mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1.6µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.32nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：63pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：6-VSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：PG-SOT363-6
